home *** CD-ROM | disk | FTP | other *** search
/ Linux Cubed Series 2: Applications / Linux Cubed Series 2 - Applications.iso / circuits / irsim-9.000 / irsim-9 / man / netchange.doc < prev   
Text File  |  1990-12-23  |  5KB  |  122 lines
  1.                                                      NETCHANGE(5)
  2.  
  3. NAME
  4.      netchange - format of netchange files read by irsim.
  5.  
  6.  
  7. DESCRIPTION
  8.      A netchange file consists of a series of lines, each of
  9.      which begins with a key letter.  The key letter beginning a
  10.      line determines how the remainder of the line is inter-
  11.      preted.  The following are the list of key letters under-
  12.      stood.
  13.  
  14.      | any text
  15.           Lines beginning with a vertical bar are treated as com-
  16.           ments and ignored by the program.
  17.  
  18.      add type gate source drain length width [area]
  19.           Add a new transistor of type to the network.
  20.           Currently, type may be:
  21.             n   n-channel enhancement transistor.
  22.             p   p-channel enhancement transistor.
  23.             d   depletion transistor (for NMOS).
  24.  
  25.           The names of the nodes to which the gate, source, and
  26.           drain of the transistor are connected are given by
  27.           gate, source, and drain respectively.  The length and
  28.           width of the transistor are given by length and width
  29.           respectively.  The area parameter, if given, will use
  30.           that number as the area for calculating the gate capa-
  31.           citance.  Length and width should be given in lambda
  32.           units, area should be in lambda^2 units, these will
  33.           internally be multiplied by the LAMBDA factor from the
  34.           configuration (.prm) file.
  35.  
  36.      delete type gate source drain length width [area]
  37.           Delete an existing transistor from the net.  All the
  38.           parameters have the same meaning as for the add com-
  39.           mand.
  40.  
  41.      move type gate source drain length width [area] g s d
  42.           Move an existing transistor to a new location the net.
  43.           type, gate, source, drain, length, width, have the same
  44.           meaning as for the add command.  g, s, and d are the
  45.           names of nodes to which the gate, source and drain
  46.           should be connected.  If a particular terminal(s) is
  47.           not to be re-connected, the name can be specified using
  48.           an "*".  Any or all of g, s, and d may be "*".  For
  49.           example, to move the gate of an n-channel transistor
  50.           from node old to new the following command would be
  51.           used:
  52.  
  53.                m n old src_node drn_node 4 2.2 new * *
  54.  
  55.           Note that the drain and source terminals, and the g and
  56.           s terminals are interchangeable; the simulator will
  57.           know if these are swapped.  So the last example could
  58.           also have been written:
  59.  
  60.                m n old drn_node src_node 4 2.2 new * *
  61.  
  62.      capacitance node value
  63.           Change the capacitance of a node by value picofarads.
  64.           Value may be negative, thereby decreasing the node's
  65.           capacitance.  Node is the node name.
  66.  
  67.      N node metal-area poly-area diff-area diff-perimeter
  68.           Change the capacitance of node using the area and per-
  69.           imeter information of the metal, polysilicon, and dif-
  70.           fusion layers.  All the parameters should be in lambda
  71.           (or lambda^2 for areas) units, they will internally be
  72.           converted to the appropriate capacitance as defined in
  73.           the configuration file.  The values can be negative to
  74.           decrease the capacitance.
  75.  
  76.      M node M2A M2P MA MP PA PP DA DP PDA PDP
  77.           Change the capacitance of node, using the following
  78.           geometrical information:
  79.  
  80.             M2A   area of 2nd-level metal
  81.             M2P   perimeter of 2nd-level metal
  82.             MA    area of 1st-level metal
  83.             MP    perimeter of 1st-level metal
  84.             PA    area of polysilicon
  85.             PP    perimeter of polysilicon
  86.             DA    area of n-diffusion
  87.             DP    perimeter of n-diffusion
  88.             PDA   area of p-diffusion
  89.             PDP   perimeter of p-diffusion
  90.  
  91.           All perimeter values should be in lambda units, area
  92.           values should be in lambda^2 units.  The perimeter
  93.           measures are half of the actual total perimeter (i.e.,
  94.           they are the sum of the lengths of the top and one
  95.           side).  Again, the values may be negative to decrease
  96.           the capacitance of the node.
  97.  
  98.      threshold node low high
  99.           Change the threhsold voltages of node. Low and high
  100.           should be in normalized voltage units (i.e. floating-
  101.           point numbers in the range 0.0 to 1.0).
  102.  
  103.      Delay node tplh tphl
  104.           Change the delays for node to be tplh nanoseconds for
  105.           low-to-high transistions, and tphl ns. for high-to-low
  106.           transistions.  These should be absolute numbers, not
  107.           relative increments/dercrements.
  108.  
  109.      NOTE: For all commands, only the first letter is signifi-
  110.            cant, the rest of the string will be ignored.  They
  111.            are only shown here for clarity.
  112.  
  113.  
  114. BUGS
  115.      This is an experimental interface for the incremental simu-
  116.      lator and is very likely to change in the future.
  117.  
  118.  
  119. SEE ALSO
  120.      irsim(5) sim(5) presim(1)
  121.  
  122.